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Si4834BDY
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
20
10
0.06
0.05
0.04
T J = 150 °C
0.03
I D = 7.5 A
1
0.02
T J = 25 °C
0.01
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μA
0.0
60
- 0.2
40
- 0.4
- 0.6
- 0.8
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 ms
10
1
10 ms
100 ms
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V DS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Foot
www.vishay.com
4
Document Number: 72064
S09-0869-Rev. D, 18-May-09
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